图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 250V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 500mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | - |
| VGS（TH）（最大）@ Id | - |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | - |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | - |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SC-96 |
| 供应商器件封装 | TSMT3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 500mA (Ta) |
| 供应商设备封装 | TSMT3 |
| 其他名称 | RDR005N25TLTR |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 250V |
| 封装/外壳 | SC-96 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 0.5 A |
| 功率耗散 | 1 W |
| 封装/外壳 | TSMT-3, SC-96 |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 250 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 3mm |
| 典型输入电容值@Vds | 70 pF @ 25 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 0.95mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | Ω18 |
| 最大栅阈值电压 | 3V |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 1.8mm |
| 尺寸 | 3 x 1.8 x 0.95mm |
| 最大漏源电压 | 250 V |
| 典型接通延迟时间 | 6 ns |
| 典型关断延迟时间 | 21 ns |
| 封装类型 | SC-96 |
| 最大连续漏极电流 | 500 mA |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 3.5 nC @ 10 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 250 V |
| 系列 | RDR005N25 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | 500 mA |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| 技术 | Si |
| P（ TOT ） | 1 W |
| 包装 | TSMT3 |
| 汽车 | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 0.5 A |
| Configuartion | N-CH |
| RDS(on)at 10V | 6800 mOhm |
| V（ DS ） | 250 V |
| Leadfree Defin | RoHS-conform |
| Fast bodydiode | NO |
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