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数量:618 |
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| 规格书 |
 RCX120N25 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 250V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 12A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | - |
| VGS（TH）（最大）@ Id | - |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | - |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | - |
| 功率 - 最大 | 40W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220FM-3 (Straight Leads) |
| 供应商器件封装 | TO-220FM |
| 包装材料 | Bulk |
| 单位包 | 500 |
| 最小起订量 | 500 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Bulk |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 12A (Ta) |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| 供应商设备封装 | TO-220FM |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 40W |
| 标准包装 | 500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 250V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 12 A |
| 功率耗散 | 40 W |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 250 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 250 V |
| 系列 | RCX120N25 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | 12 A |
| 技术 | Si |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 235 mOhms |
| Pd - Power Dissipation | 40 W |
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