图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 RCD080N25 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 250V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 8A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | - |
| VGS（TH）（最大）@ Id | - |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | - |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | - |
| 功率 - 最大 | 20W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SOT-428 |
| 供应商器件封装 | CPT3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| P（ TOT ） | 20W |
| 匹配代码 | RCD080N25TL |
| 安装 | SMD |
| R（ THJC ） | 6.25K/W |
| LogicLevel | NO |
| 包装 | CPT3 |
| 单位包 | 2500 |
| 标准的提前期 | 18 weeks |
| 最小起订量 | 2500 |
| Q（克） | 25nC |
| LLRDS （上） | 0.225Ohm |
| 汽车 | NO |
| LLRDS （上）在 | 10V |
| 我（D ） | 8A |
| V（ DS ） | 250V |
| 技术 | MicroProce |
| 的RDS（on ） at10V | 0.225Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 8A (Ta) |
| 供应商设备封装 | CPT3 |
| 其他名称 | RCD080N25TLTR |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 20W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 250V |
| 封装/外壳 | SOT-428 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 8 A |
| 功率耗散 | 20 W |
| 封装/外壳 | CPT3, SOT-428, SC-63 |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 250 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅源电压（最大值） | �30 V |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | CPT |
| 引脚数 | 2 +Tab |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源导通电压 | 250 V |
| 弧度硬化 | No |
RCD080N25TL也可以通过以下分类找到
RCD080N25TL相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
