图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 R6020ANX |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 600V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 20A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 220 mOhm @ 10A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4.5V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 65nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2040pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 50W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220FM-3 (Straight Leads) |
| 供应商器件封装 | TO-220FM |
| 包装材料 | Bulk |
| 单位包 | 500 |
| 最小起订量 | 500 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Bulk |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 20A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4.5V @ 1mA |
| 供应商设备封装 | TO-220FM |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 220 mOhm @ 10A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 50W |
| 标准包装 | 500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2040pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 65nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 20 A |
| 正向跨导 - 闵 | 7 S |
| 功率耗散 | 50 W |
| 封装/外壳 | TO-220FM |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | 20 A |
| Pd - Power Dissipation | 50 W |
| 技术 | Si |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 220 mOhms |
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