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数量:292 |
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| 规格书 |
 R6012ANX |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 600V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 12A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 420 mOhm @ 6A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4.5V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 35nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1300pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 50W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220FM-3 (Straight Leads) |
| 供应商器件封装 | TO-220FM |
| 包装材料 | Bulk |
| 单位包 | 500 |
| 最小起订量 | 500 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Bulk |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 12A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4.5V @ 1mA |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| 供应商设备封装 | TO-220FM |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 420 mOhm @ 6A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 50W |
| 标准包装 | 500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1300pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 35nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 12 A |
| 正向跨导 - 闵 | 3.5 S |
| 功率耗散 | 50 W |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 高度 | 15.4mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 10.3mm |
| 典型输入电容值@Vds | 1300 pF @ 25 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 420 mΩ |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最大功率耗散 | 50 W |
| 最大栅源电压 | ±30 V |
| 宽度 | 4.8mm |
| 尺寸 | 10.3 x 4.8 x 15.4mm |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 典型接通延迟时间 | 30 ns |
| 典型关断延迟时间 | 90 ns |
| 封装类型 | TO-220FM |
| 最大连续漏极电流 | 12 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 35 nC @ 10 V |
| 工厂包装数量 | 500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | 12 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 420 mOhms |
| Pd - Power Dissipation | 50 W |
| 技术 | Si |
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