ROHM Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 1mA |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商设备封装 | CPT3 |
| 其他名称 | 2SK3050TLTR |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 5.5 Ohm @ 1A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 20W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 280pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 25.6nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 连续漏极电流 | 2 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 4.4 Ohms |
| 功率耗散 | 20 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 典型关闭延迟时间 | 29 ns |
| 上升时间 | 17 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 105 ns |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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