rohm semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3CPT |
| 配置 | Single |
| 类型 | NPN |
| 最大集电极发射极电压 | 100 V |
| 峰值直流集电极电流 | 2 A |
| 最小直流电流增益 | 1000@1A@2V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.5@1mA@1A V |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 2A |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.5V @ 1mA, 1A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| 供应商设备封装 | CPT3 |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 功率 - 最大 | 10W |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 1000 @ 1A, 2V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | 2SD1980TLCT |
| 外形尺寸 | 6.5 x 5.5 x 2.3mm |
| 身高 | 2.3mm |
| 长度 | 6.5mm |
| 最大的基射极饱和电压 | 2 V |
| 最大集电极基极电压 | 100 V |
| 最大集电极截止电流 | 0.01mA |
| 最大连续集电极电流 | 2 A |
| 最大基地发射极电压 | 6 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | CPT |
| 引脚数 | 3 |
| 宽度 | 5.5mm |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 增益带宽产品fT | 80 MHz |
| 产品种类 | Transistors Darlington |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 1000 |
| 集电极最大直流电流 | 2 A |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 1 W |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 100 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 2 A |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :100V |
| Transition Frequency ft | :80MHz |
| 功耗 | :1W |
| DC Collector Current | :1A |
| DC Current Gain hFE | :1000 |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOT-428 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| Collector Emitter Voltage Vces | :1.5V |
| Current Ic Continuous a Max | :1A |
| Gain Bandwidth ft Typ | :80MHz |
| Hfe Min | :1000 |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| 端接类型 | :SMD |
| Weight (kg) | 0.000386 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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