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厂商型号:

2SB1709TL

芯天下内部编号:
293-2SB1709TL
生产厂商:

ROHM Semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
单位包 3000
最小起订量 3000
电流 - 集电极( Ic)(最大) 1.5A
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 400MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 200mV @ 25mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大) 100nA (ICBO)
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 12V
供应商设备封装 TSMT3
封装 Tape & Reel (TR)
功率 - 最大 500mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 270 @ 200mA, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 2SB1709TLCT
工厂包装数量 3000
增益带宽产品fT 400 MHz
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
最大功率耗散 500 mW
直流集电极/增益hfe最小值 270 at 200 mA at 2 V
直流电流增益hFE最大值 270 at 200 mA at 2 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 12 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 15 V
集电极最大直流电流 1.5 A
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
封装类型 SC-96
Board Level Components Y
最大直流集电极电流 1.5 A
最高工作温度 +150 °C
晶体管类型 PNP
安装类型 表面贴装
最大集电极-发射极电压 12 V
高度 0.95mm
最大功率耗散 0.5 W
宽度 1.8mm
尺寸 3 x 1.8 x 0.95mm
每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
最小直流电流增益 270
长度 3mm
晶体管配置
最大发射极-基极电压 -6 V
最大集电极-发射极饱和电压 -200 mV
最大工作频率 100 MHz
最大集电极-基极电压 -15 V
集电极 - 发射极饱和电压 - 85 mV
长度 2.9 mm
连续集电极电流 - 1.5 A
系列 2SB1709
身高 0.85 mm
Pd - Power Dissipation 500 mW
品牌 ROHM Semiconductor

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