Panasonic
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 8A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 730µA |
| 供应商设备封装 | WMini8-F1 |
| 其他名称 | FK8V03050LTR |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 15 mOhm @ 4A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 33V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 520pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 5.1nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 8-SMD, Flat Lead |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 通道模式 | Depletion |
| 渠道类型 | N |
| 配置 | Quad Drain, Triple Source |
| 外形尺寸 | 2.9 x 2.4 x 0.83mm |
| 身高 | 0.83mm |
| 长度 | 2.9mm |
| 最大连续漏极电流 | 10 A |
| 最大漏源电阻 | 25 mΩ |
| 最大漏源电压 | 33 V |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 1.5 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | WMini8-F1 |
| 引脚数 | 8 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 5.1 nC V @ 4.5 |
| 典型输入电容@ VDS | 520 pF V @ 10 |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 典型导通延迟时间 | 8 ns |
| 宽度 | 2.4mm |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 8 A |
| RDS（ON） | 11 mOhms |
| 功率耗散 | 1 W |
| 封装/外壳 | WMini8-F1 |
| 漏源击穿电压 | 33 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| 高度 | 0.83mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 2.9mm |
| 典型输入电容值@Vds | 520 pF@ 10 V |
| 通道模式 | 消耗 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 25 mΩ |
| 通道类型 | N |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 1.5 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 2.4mm |
| 尺寸 | 2.9 x 2.4 x 0.83mm |
| 最大漏源电压 | 33 V |
| 典型接通延迟时间 | 8 ns |
| 典型关断延迟时间 | 32 ns |
| 封装类型 | WMini8-F1 |
| 最大连续漏极电流 | 10 A |
| 引脚数目 | 8 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 5.1 nC @ 4.5 V |
| Id - Continuous Drain Current | 8 A |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 品牌 | Panasonic |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 33 V |
| 通道数 | 1 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 11 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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