所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 电流 - Vr时反向漏电 | 10µA @ 1V |
| 电压 - 齐纳(额定值)(Vz ) | 3.6V |
| 电压 - 正向(Vf) (最大) | 1V @ 10mA |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | SMini4-F3-B |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 功率 - 最大 | 200mW |
| 阻抗(最大值)(Zzt ) | 130 Ohm |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 配置 | 2 Independent |
| 封装/外壳 | 4-SMD, Flat Leads |
| 其他名称 | DZ4J036K0RCT |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 齐纳电压 | 3.6 V |
| 最大齐纳阻抗 | 130 Ohms |
| 电压温度系数 | - 1.7 mV / C |
| 最大反向漏泄电流 | 10 uA |
| 正向电压下降 | 1 V at 10 mA |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 电压容差 | 5 % |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 封装/外壳 | SMini4-F3-B |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 封装类型 | SMini4 F3 B |
| 齐纳电压容差 | 5% |
| 典型电压温度系数 | -1.7mV/°C |
| 额定齐纳电压 | 3.6V |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 高度 | 0.6mm |
| 最大反向漏电流 | 10µA |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 宽度 | 1.25mm |
| 尺寸 | 2 x 1.25 x 0.6mm |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 引脚数目 | 4 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 2mm |
| 齐纳类型 | 恒压,突波吸收器,波形削波器 |
| 最大齐纳阻抗 | 130Ω |
| 二极管配置 | 隔离式 |
| 测试电流 | 5mA |
| 产品 | Zener Diode |
| Vf - Forward Voltage | 1 V at 10 mA |
| 测试电流 | 5 mA |
| Ir - Reverse Current | 10 uA |
| 品牌 | Panasonic |
| Zz - Zener Impedance | 130 Ohms |
| 身高 | 0.7 mm |
| 长度 | 2.1 mm |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| 齐纳电流 | 10 uA |
| 类型 | Voltage Regulator |
| Vz - Zener Voltage | 3.6 V |
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