所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 电流 - 集电极( Ic)(最大) | 1A |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 120MHz |
| 下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 400mV @ 50mA, 500mA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
| 供应商设备封装 | MiniP3-F2-B |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 120 @ 500mA, 10V |
| 其他名称 | DSA7003R0LCT |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Low Frequency Transistor |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 4.5 x 2.5 x 1.5mm |
| 身高 | 1.5mm |
| 长度 | 4.5mm |
| 最大的基射极饱和电压 | -1.2 V |
| 最大集电极基极电压 | -60 V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | -0.4 V |
| 最大集电极发射极电压 | -50 V |
| 集电极最大直流电流 | -1 A |
| 最大基地发射极电压 | -5 V |
| 最大工作频率 | 120 MHz |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 最小直流电流增益 | 120 V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | MiniP3 F2 B |
| 引脚数 | 3 |
| 宽度 | 2.5mm |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 120 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | - 1000 mA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 最高工作频率 | 120 MHz |
| 最大直流集电极电流 | 1 A |
| 长度 | 4.5mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 高度 | 1.5mm |
| 最大基极-发射极饱和电压 | -1.2 V |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 宽度 | 2.5mm |
| 封装类型 | MiniP3 F2 B |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V |
| 引脚数目 | 3 |
| 最小直流电流增益 | 120 |
| 尺寸 | 4.5 x 2.5 x 1.5mm |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大发射极-基极电压 | -5 V |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -0.4 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大集电极-基极电压 | -60 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | - 400 mV |
| 品牌 | Panasonic |
| 发射极 - 基极电压VEBO | - 5 V |
| 增益带宽产品fT | 120 MHz |
| 集电极 - 基极电压VCBO | - 60 V |
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