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厂商型号:

SK830321KL

芯天下内部编号:
282-SK830321KL
生产厂商:

Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products

microsemi
描述:
N
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 7A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 519µA
供应商设备封装 8-HSSO
其他名称 P16262TR
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 24 mOhm @ 4.5A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2W
标准包装 5,000
漏极至源极电压(Vdss) 30V
输入电容(Ciss ) @ VDS 658pF @ 10V
闸电荷(Qg ) @ VGS 3.9nC @ 4.5V
封装/外壳 8-SMD, Flat Lead
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
安装风格 SMD/SMT
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 9 A
系列 SK8
RDS(ON) 24 mOhms
功率耗散 13 W
封装/外壳 HSS08-F3-B
栅极电荷Qg 3.9 nC
典型关闭延迟时间 31 ns
上升时间 3 ns
漏源击穿电压 30 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 5 ns
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 7A (Ta), 18A (Tc)
高度 0.8mm
类别 直流/直流转换器,开关
长度 3.1mm
典型输入电容值@Vds 470 pF @ 10 V
通道模式 消耗
安装类型 表面贴装
每片芯片元件数目 1
最大漏源电阻值 24 mΩ
最大栅阈值电压 3V
Board Level Components Y
最高工作温度 +85 °C
通道类型 N
最低工作温度 -40 °C
最大功率耗散 13 W
最大栅源电压 ±20 V
宽度 3.1mm
尺寸 3.1 x 3.1 x 0.8mm
最大漏源电压 30 V
典型接通延迟时间 4 ns
典型关断延迟时间 31 ns
封装类型 HSSO8-F3-B
最大连续漏极电流 18 A
引脚数目 8
典型栅极电荷@Vgs 3.9 nC @ 4.5 V
工厂包装数量 5000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.3 V to 3 V
Qg - Gate Charge 3.9 nC
品牌 Panasonic
通道数 1 Channel
最高工作温度 + 85 C
晶体管类型 1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current 9 A
Rds On - Drain-Source Resistance 24 mOhms
最低工作温度 - 40 C
Pd - Power Dissipation 13 W
技术 Si

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