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数量:2297 |
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| 规格书 |
 MTM982400BBF View All Specifications |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 40V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 7A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 23 mOhm @ 7A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | - |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1750pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SO8-F1 |
| 供应商器件封装 | SO8-F1-B |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 7A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 封装/外壳 | SO8-F1 |
| 供应商设备封装 | SO8-F1-B |
| 其他名称 | MTM982400BBFTR |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 23 mOhm @ 7A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1750pF @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 7 A |
| 正向跨导 - 闵 | 4 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 2 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 典型关闭延迟时间 | 94 nS |
| 上升时间 | 9 nS |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 33 nS |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 产品 | MOSFET Small Signal |
| 品牌 | Panasonic |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 7 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 29 mOhms |
| 典型导通延迟时间 | 17 nS |
| Pd - Power Dissipation | 2 W |
| 技术 | Si |
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