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| 规格书 |
 MTM862270LBF View all Specifications |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 10,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 2.2A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 105 mOhm @ 1A, 4V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1.3V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | - |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 280pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 540mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | WSSMini6-F1 |
| 供应商器件封装 | WSMini6-F1-B |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.2A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.3V @ 1mA |
| 供应商设备封装 | WSSMini6-F1 |
| 其他名称 | MTM862270LBFTR |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 105 mOhm @ 1A, 4V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 540mW |
| 标准包装 | 10,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 280pF @ 10V |
| 封装/外壳 | 6-SMD, Flat Leads |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 2.2 A |
| RDS（ON） | 150 mOhms |
| 封装/外壳 | WSSMini6-F1 |
| 配置 | Single |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 产品 | MOSFET Small Signal |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 品牌 | Panasonic |
| Id - Continuous Drain Current | 2.2 A |
| 通道数 | 1 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 150 mOhms |
| 技术 | Si |
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