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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

MTM861280LBF 

产品描述

MOSFET PCH MOS FET FLT LD 1.6x1.6mm

内部编号

282-MTM861280LBF

生产厂商

Panasonic

panasonic

#1

数量:1702
1+¥4.191
10+¥2.9547
100+¥1.9397
500+¥1.1461
1000+¥0.8816
最小起订量:1
美国费城
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MTM861280LBF产品详细规格

规格书 MTM861280LBF datasheet 规格书
MTM861280LBF View All Specifications
MTM861280LBF datasheet 规格书
MTM861280LBF datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 10,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 1A
Rds(最大)@ ID,VGS 420 mOhm @ 500mA, 4V
VGS(TH)(最大)@ Id 1.5V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS -
输入电容(Ciss)@ Vds的 80pF @ 10V
功率 - 最大 150mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 WSSMini6-F1
供应商器件封装 WSMini6-F1-B
包装材料 Tape & Reel (TR)
FET特点 Standard
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 1A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.5V @ 1mA
供应商设备封装 WSSMini6-F1
其他名称 MTM861280LBFTR
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 420 mOhm @ 500mA, 4V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 150mW
标准包装 10,000
漏极至源极电压(Vdss) 20V
输入电容(Ciss ) @ VDS 80pF @ 10V
封装/外壳 6-SMD, Flat Leads
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 10000
晶体管极性 P-Channel
连续漏极电流 - 1 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 560 mOhms
封装/外壳 WSSMini6-F1
配置 Single
漏源击穿电压 - 20 V
RoHS RoHS Compliant
产品 MOSFET Small Signal
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage - 20 V
品牌 Panasonic
Id - Continuous Drain Current - 1 A
通道数 1 Channel
Rds On - Drain-Source Resistance 560 mOhms
技术 Si

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