所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| RoHS | RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 漏源击穿电压 | - 20 V |
| 源极击穿电压 | 10 V |
| 连续漏极电流 | - 2 A |
| 抗漏源极RDS ( ON) | 100 mOhms |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | WSSMini6-F1 |
| 封装 | Reel |
| 正向跨导gFS (最大值/最小值) | 3 S |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 540 mW |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 2A (Ta) |
| 的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1.3V @ 1mA |
| 供应商设备封装 | WSSMini6-F1 |
| 其他名称 | MTM861240LBFTR |
| 开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 130 mOhm @ 1A, 4V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 540mW |
| 标准包装 | 10,000 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 输入电容(Ciss ) @ VDS | 400pF @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 正向跨导 - 闵 | 3 S |
| RDS(ON) | 100 mOhms |
| 产品 | MOSFET Small Signal |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 20 V |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| 品牌 | Panasonic |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Pd - Power Dissipation | 540 mW |
| 通道数 | 1 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 100 mOhms |
| Id - Continuous Drain Current | - 2 A |
| 技术 | Si |
咨询QQ
热线电话