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规格书 |
FL6L5207 View All Specifications |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 1A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1.5V @ 1mA |
封装/外壳 | 6-SMD, Flat Leads |
供应商设备封装 | WSSMini6-F1 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 420 mOhm @ 500mA, 4V |
FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 150mW |
标准包装 | 10,000 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 80pF @ 10V |
安装风格 | SMD/SMT |
配置 | Single |
晶体管极性 | P-Channel |
源极击穿电压 | +/- 12 V |
连续漏极电流 | 1 A |
系列 | FL6 |
RDS(ON) | 300 mOhms |
功率耗散 | 540 mW |
最低工作温度 | - 55 C |
典型关闭延迟时间 | 17 ns |
上升时间 | 6 ns |
最高工作温度 | + 125 C |
漏源击穿电压 | 20 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 10 ns |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 1A (Ta) |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 10000 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 20 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | - 1 V |
品牌 | Panasonic |
通道数 | 1 Channel |
晶体管类型 | 1 P-Channel |
Id - Continuous Drain Current | - 1 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 300 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
Pd - Power Dissipation | 540 mW |
技术 | Si |
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