Alpha & Omega Semiconductor Inc
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 12A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | TO-252, (D-Pak) |
| 其他名称 | 785-1108-2 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 60 mOhm @ 12A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 20W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 540pF @ 30V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 10nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 连续漏极电流 | 12 A |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 功率耗散 | 2 W |
| 安装 | Surface Mount |
| 漏源导通电阻 | 0.06 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 包装类型 | DPAK |
| 引脚数 | 2 +Tab |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源导通电压 | 60 V |
| 弧度硬化 | No |
| 漏源极电压 (Vdss) | 60V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 540pF @ 30V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 60 mOhm @ 12A, 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 10nC @ 10V |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| FET 类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 功率 - 最大值 | 20W |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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