厂商型号:

AO6409

芯天下内部编号:
28-AO6409
生产厂商:

Alpha & Omega Semiconductor Inc

microsemi
描述:
M
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
FET特点 Logic Level Gate, 1.8V Drive
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 5A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1V @ 250µA
供应商设备封装 6-TSOP
其他名称 785-1074-2
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 45 mOhm @ 5A, 4.5V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2W
标准包装 3,000
漏极至源极电压(Vdss) 20V
输入电容(Ciss ) @ VDS 1450pF @ 10V
闸电荷(Qg ) @ VGS 17.2nC @ 4.5V
封装/外壳 SC-74, SOT-457
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
漏极电流(最大值) 5 A
频率(最大) Not Required MHz
栅源电压(最大值) �8 V
输出功率(最大) Not Required W
功率耗散 2 W
安装 Surface Mount
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.045 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TSOP
引脚数 6
极性 P
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
通道模式 Enhancement
漏极效率 Not Required %
漏源导通电压 20 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
连续漏极电流 5.5 A
删除 Compliant
漏源极电压 (Vdss) 20V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1450pF @ 10V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 45 mOhm @ 5A, 4.5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 17.2nC @ 4.5V
FET 功能 Logic Level Gate, 1.8V Drive
FET 类型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
封装/外壳 SC-74, SOT-457
功率 - 最大值 2W

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