所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 6.3A, 4.9A |
| 的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC |
| 其他名称 | 785-1203-2 |
| 开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 25 mOhm @ 6.3A, 10V |
| FET型 | N and P-Channel |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 输入电容(Ciss ) @ VDS | 2300pF @ 30V |
| 闸电荷(Qg ) @ VGS | 58nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 栅源电压(最大值) | �20 V |
| 功率耗散 | 2 W |
| 安装 | Surface Mount |
| 漏源导通电阻 | 0.025 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOIC |
| 引脚数 | 8 |
| 极性 | N/P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 2 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源导通电压 | 60 V |
| 弧度硬化 | No |
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