所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 3.8A (Ta) |
| 的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1.8V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 |
| 其他名称 | 785-1012-2 |
| 开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 60 mOhm @ 3.8A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.4W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 输入电容(Ciss ) @ VDS | 270pF @ 15V |
| 闸电荷(Qg ) @ VGS | 3.2nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 270pF @ 15V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 60 mOhm @ 3.8A, 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 3.2nC @ 4.5V |
| FET 功能 | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| FET 类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.8V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 功率 - 最大值 | 1.4W |
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