规格书 |
AO4852 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 1 |
FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 3A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 90 mOhm @ 3A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.6V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 9.2nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 450pF @ 30V |
功率 - 最大 | 1.4W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
包装材料 | |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 3A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.6V @ 250µA |
供应商设备封装 | 8-SOIC |
其他名称 | 785-1204-2 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 90 mOhm @ 3A, 10V |
FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
功率 - 最大 | 1.4W |
标准包装 | 3,000 |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 450pF @ 30V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 9.2nC @ 10V |
封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
漏源极电压 (Vdss) | 60V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 450pF @ 30V |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 90 mOhm @ 3A, 10V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 9.2nC @ 10V |
FET 功能 | Logic Level Gate |
FET 类型 | 2 N-Channel (Dual) |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.6V @ 250µA |
封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
功率 - 最大值 | 1.4W |