ON Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 安装 | Through Hole |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 2@16mA@4A|3@30mA@6A |
| Package Width | 4.82(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 2000 |
| 类型 | NPN |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大集电极发射极电压 | 100 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 100 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 供应商封装形式 | TO-220AB |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最高工作温度 | 150 |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 8 |
| Package Length | 10.28(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 最小直流电流增益 | 500@1A@4V|1000@4A@4V |
| Package Height | 9.28(Max) |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 |
| 封装 | Rail |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 8A |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 3V @ 30mA, 6A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500µA |
| 标准包装 | 50 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 1000 @ 4A, 4V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 3V @ 30mA, 6A |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500µA |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 1000 @ 4A, 4V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 8A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 100V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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