所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 7.6A (Ta), 38A (Tc) |
| 的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3.5V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商设备封装 | DPAK-3 |
| 开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 26 mOhm @ 20A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 75W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 40V |
| 输入电容(Ciss ) @ VDS | 1000pF @ 32V |
| 闸电荷(Qg ) @ VGS | 20nC @ 10V |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 系列 | NTD5407N |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | 38 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 通道数 | 1 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 26 mOhms |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 零件号别名 | NVD5407NT4G |
| 技术 | Si |
| RoHS | RoHS Compliant |
咨询QQ
热线电话