on semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TP-FA |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 最大连续漏极电流 | 10 A |
| RDS -于 | 112@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±10 V |
| 典型导通延迟时间 | 9 ns |
| 典型上升时间 | 50 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 81 ns |
| 典型下降时间 | 80 ns |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±10 |
| 引脚数 | 3 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Package Width | 5.5 |
| 标准包装名称 | TO-252 |
| Package Height | 2.3 |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 112@4.5V |
| 最大漏源电压 | 40 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 标签 | Tab |
| 供应商封装形式 | TP-FA |
| Package Length | 6.5 |
| PCB | 2 |
| 最大连续漏极电流 | 10 |
| 最大功率耗散 | 1000 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 10A (Ta) |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商设备封装 | TP-FA |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 112 mOhm @ 5A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 650pF @ 20V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 8nC @ 4.5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 10 V |
| 连续漏极电流 | 10 A |
| RDS（ON） | 112 mOhms |
| 功率耗散 | 15 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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