on semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 6SCH |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 12 V |
| 最大连续漏极电流 | 2.5 A |
| RDS -于 | 112@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±10 V |
| 典型导通延迟时间 | 6.5 ns |
| 典型上升时间 | 21 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±10 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| Package Height | 0.56 |
| Maximum Power Dissipation | 800 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 112@4.5V |
| 最大漏源电压 | 12 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Package Width | 1.5 |
| 供应商封装形式 | SCH |
| Package Length | 1.6 |
| PCB | 6 |
| 最大连续漏极电流 | 2.5 |
| 引脚数 | 6 |
| 铅形状 | Flat |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.5A (Ta) |
| 封装/外壳 | 6-SMD, Flat Leads |
| 供应商设备封装 | 6-SCH |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 112 mOhm @ 1A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 800mW |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 12V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 270pF @ 6V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 3.1nC @ 4.5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 高度 | 0.56mm |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 1.6mm |
| 典型输入电容值@Vds | 270 pF @ -6 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 112 mΩ |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | P |
| 最大功率耗散 | 0.8 W |
| 最大栅源电压 | ±10 V |
| 宽度 | 1.5mm |
| 尺寸 | 1.6 x 1.5 x 0.56mm |
| 最大漏源电压 | 12 V |
| 典型接通延迟时间 | 6.5 ns |
| 典型关断延迟时间 | 33 ns |
| 封装类型 | SCH |
| 最大连续漏极电流 | 2.5 A |
| 引脚数目 | 6 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 3.1 nC @ 4.5 V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
