ON Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 |
| 安装 | Surface Mount |
| Package Width | 4(Max) |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 2000 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 85@10V |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | P |
| Package Length | 5(Max) |
| 引脚数 | 8 |
| 通道模式 | Enhancement |
| Package Height | 1.5(Max) |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.86 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.34A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 85 mOhm @ 3.05A, 10V |
| FET型 | 2 P-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 730mW |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 750pF @ 24V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 25nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 30 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 系列 | NTMD3P03 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | - 3.05 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 85 mOhms |
| 封装/外壳 | SOIC-8 |
| 技术 | Si |
| RoHS | RoHS Compliant |
咨询QQ
热线电话
