on semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3DPAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 最大连续漏极电流 | 33 A |
| RDS -于 | 19@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 10.6|8 ns |
| 典型上升时间 | 93.7|49 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 14.2|19.8 ns |
| 典型下降时间 | 4.3|2.6 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 33 A |
| 抗漏源极RDS （ ON） | 12.7 mOhms |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | DPAK |
| 封装 | Reel |
| 功率耗散 | 40 W |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 包装宽度 | 6.22(Max) |
| PCB | 2 |
| 筛选等级 | Automotive |
| 最大功率耗散 | 40000 |
| 最大漏源电压 | 40 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 19@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | DPAK |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最高工作温度 | 175 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 6.73(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 2.38(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 33 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 33A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | D-Pak |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 19 mOhm @ 15A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 40W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 860pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 38nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RDS（ON） | 12.7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 系列 | NTD5806N |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| Pd - Power Dissipation | 40 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 12.7 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 33 A |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 零件号别名 | SVD5806NT4G |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
