ON Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±20 |
| 安装 | Surface Mount |
| Package Width | 6.22(Max) |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 4100 |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 16@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | DPAK |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最高工作温度 | 175 |
| 渠道类型 | P |
| Package Length | 6.73(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| Package Height | 2.38(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 11 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 11A (Ta), 61A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | DPAK-3 |
| 其他名称 | NVD5117PLT4GOSTR |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 16 mOhm @ 29A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 4.1W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 4800pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 85nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :175°C |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| Continuous Drain Current Id | :-61A |
| Drain Source Voltage Vds | :-60V |
| On Resistance Rds(on) | :0.016ohm |
| 功耗 | :118W |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :-4.5V |
| Transistor Case Style | :TO-252 |
| 晶体管极性 | :P Channel |
| Weight (kg) | 0.00033 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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