ON Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | * |
| 安装类型 | * |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 封装/外壳 | * |
| 供应商设备封装 | * |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 6 mOhm @ 30A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.4W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 11.3A (Ta), 79A (Tc) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2142pF @ 12V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 23nC @ 4.5V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 系列 | NTD4806N |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | 76 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 6 mOhms |
| 技术 | Si |
| RoHS | RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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