on semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8WDFN |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 20.6 A |
| RDS -于 | 5@11.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 13 ns |
| 典型上升时间 | 38 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns |
| 典型下降时间 | 5.5 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| Package Width | 3.05 |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 4100 |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 5@11.5V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | WDFN EP |
| 标准包装名称 | DFN |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 3.05 |
| 引脚数 | 8 |
| Package Height | 0.75(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 20.6 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | No Lead |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 8.3A (Ta), 69A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 8-WDFN Exposed Pad |
| 供应商设备封装 | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 5 mOhm @ 20A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 660mW |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2363pF @ 12V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 29nC @ 11.5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | NTTFS4824NTAGOSCT |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 69 A |
| 正向跨导 - 闵 | 53 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 5.8 Ohms |
| 功率耗散 | 4.1 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 38 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 5.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 类型 | Power MOSFET |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 69 A |
| 长度 | 3.05 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5.8 Ohms |
| 系列 | NTTFS4824N |
| 身高 | 0.75 mm |
| Pd - Power Dissipation | 4.1 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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