on semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3SC-70 |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 1.2 A |
| RDS -于 | 150@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±12 V |
| 典型导通延迟时间 | 7.7|5.3 ns |
| 典型上升时间 | 5.2|6.7 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 16.2|19.9 ns |
| 典型下降时间 | 6.7|7.1 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±12 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOT-323 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 150@10V |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | SC-70 |
| 最大功率耗散 | 350 |
| 最大连续漏极电流 | 1.2 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1.2A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | SC-70-3 (SOT323) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 150 mOhm @ 1.2A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 290mW |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 430pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 10.1nC @ 10V |
| 封装/外壳 | SC-70, SOT-323 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | NTS4173PT1GOSCT |
| 类别 | Power MOSFET |
| 外形尺寸 | 2.2 x 1.35 x 0.9mm |
| 身高 | 0.9mm |
| 长度 | 2.2mm |
| 最大漏源电阻 | 280 mΩ |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 0.35 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | SC-70 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 10.1 nC @ -10 V, 4.8 nC @ -4.5 V |
| 典型输入电容@ VDS | 430 pF @ -15 V |
| 宽度 | 1.35mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 12 V |
| 连续漏极电流 | - 1.3 A |
| 正向跨导 - 闵 | 3.6 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 165 mOhms |
| 功率耗散 | 0.35 W |
| 封装/外壳 | SC-70-3 |
| 上升时间 | 6.7 ns |
| 漏源击穿电压 | - 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 7.1 ns |
| Continuous Drain Current Id | :-1.3A |
| Drain Source Voltage Vds | :-30V |
| On Resistance Rds(on) | :90mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :-10V |
| Threshold Voltage Vgs | :-1.15V |
| Weight (kg) | 0 |
| Tariff No. | 85412900 |
| 功耗 | :290mW |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
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