on semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8SOIC N |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 最大连续漏极电流 | 7.05 A |
| RDS -于 | 33@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±10 V |
| 典型导通延迟时间 | 22|18 ns |
| 典型上升时间 | 70|25 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 65|70 ns |
| 典型下降时间 | 90|55 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±10 |
| Package Width | 4(Max) |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 2500 |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 33@4.5V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 150 |
| Package Length | 5(Max) |
| 引脚数 | 8 |
| Package Height | 1.5(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 7.05 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3.95A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.25V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC N |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 33 mOhm @ 5.4A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 790mW |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1900pF @ 16V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 35nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | NTMS5P02R2GOSCT |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 配置 | Single Quad Drain Dual Source |
| 源极击穿电压 | +/- 10 V |
| 连续漏极电流 | - 5.4 A |
| 正向跨导 - 闵 | 15 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 26 mOhms |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SOIC-8 Narrow |
| 上升时间 | 70 ns, 25 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | - 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 90 ns, 55 ns |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 5mm |
| 典型输入电容值@Vds | 1375 pF @ -16 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 1.5mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 48 mΩ |
| 最大栅阈值电压 | 1.25V |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | P |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 2.5 W |
| 最大栅源电压 | ±10 V |
| 宽度 | 4mm |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 典型接通延迟时间 | 22 ns |
| 典型关断延迟时间 | 70 ns |
| 封装类型 | SOIC |
| 最大连续漏极电流 | 2.7 A |
| 引脚数目 | 8 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 20 nC @ 4.5 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 20 V |
| 宽度 | 4 mm |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| 类型 | MOSFET |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | - 5.4 A |
| 长度 | 5 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 26 mOhms |
| 系列 | NTMS5P02 |
| 身高 | 1.5 mm |
| Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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