ON Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±20 |
| 安装 | Surface Mount |
| Package Width | 4(Max) |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 1500 |
| 最大漏源电压 | 40 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 20@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 5(Max) |
| 引脚数 | 8 |
| 通道模式 | Enhancement |
| Package Height | 1.5(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 5.8 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 5.8A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC N |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 25 mOhm @ 7A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.5W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 785pF @ 20V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 17nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | NTMS5838NLR2GOSCT |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Quad Drain, Triple Source |
| 外形尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm |
| 身高 | 1.5mm |
| 长度 | 5mm |
| 最大连续漏极电流 | 7.5 A |
| 最大漏源电阻 | 36.5 mΩ |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 2.6 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | SOIC |
| 典型栅极电荷@ VGS | 17 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 785 pF V @ 20 |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns |
| 典型导通延迟时间 | 11 ns |
| 宽度 | 4mm |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 5.8 A |
| 正向跨导 - 闵 | 4 S |
| RDS（ON） | 20.5 mOhms |
| 功率耗散 | 1.5 W |
| 栅极电荷Qg | 17 nC |
| 上升时间 | 23 ns |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 4 ns |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
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