ON Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | DFN |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 5@10V |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | SO-FL |
| Maximum Power Dissipation | 7180 |
| 最大连续漏极电流 | 29.1 |
| 引脚数 | 8 |
| 铅形状 | Flat |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 10.4A (Ta), 75A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 封装/外壳 | 8-TDFN Exposed Pad (5 Lead) |
| 供应商设备封装 | 6-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6) |
| 其他名称 | NTMFS4899NFT1GOSTR |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 5 mOhm @ 30A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 920mW |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1600pF @ 12V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 25nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Quad Drain, Single, Triple Source |
| 外形尺寸 | 5.1 x 6.1 x 1.1mm |
| 身高 | 1.1mm |
| 长度 | 5.1mm |
| 最大连续漏极电流 | 29.1 A |
| 最大漏源电阻 | 7.5 mΩ |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 2.7 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | SO-8FL |
| 典型栅极电荷@ VGS | 12.2 nC V @ 4.5 |
| 典型输入电容@ VDS | 1600 pF V @ 12 |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 典型导通延迟时间 | 12.6 ns |
| 宽度 | 6.1mm |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 2.7 W |
| RoHS | No |
| 晶体管极性 | :N Channel + Schottky |
| Continuous Drain Current Id | :75A |
| Drain Source Voltage Vds | :30V |
| On Resistance Rds(on) | :5mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :1.5V |
| Weight (kg) | 0 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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