on semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 6SC-88 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 12 V |
| 最大连续漏极电流 | 2.7 A |
| RDS -于 | 60@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±12 V |
| 典型导通延迟时间 | 0.86 ns |
| 典型上升时间 | 1.5 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 3.5 ns |
| 典型下降时间 | 3.9 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±12 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 60@4.5V |
| 最大漏源电压 | 12 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | SC-88 |
| 最大功率耗散 | 625 |
| 最大连续漏极电流 | 2.7 |
| 引脚数 | 6 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.7A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 400mV @ 100µA |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 供应商设备封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其他名称 | NTJS3151PT1GOSTR |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 60 mOhm @ 3.3A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 12V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 850pF @ 12V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 8.6nC @ 4.5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 配置 | Quad Drain |
| 外形尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1mm |
| 身高 | 1mm |
| 长度 | 2.2mm |
| 最大漏源电阻 | 160 mΩ |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 0.625 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | SC-88 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 8.6 nC @ -4.5 V |
| 典型输入电容@ VDS | 850 pF @ -12 V |
| 宽度 | 1.35mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 12 V |
| 连续漏极电流 | - 3.3 A |
| 正向跨导 - 闵 | 15 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 133 mOhms |
| 功率耗散 | 0.625 W |
| 上升时间 | 1.5 ns |
| 漏源击穿电压 | - 12 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 1.5 ns |
| 漏极电流（最大值） | 2.7 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �12 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.06 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Small Signal |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 12 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| 漏源极电压 (Vdss) | 12V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 850pF @ 12V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 60 mOhm @ 3.3A, 4.5V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 8.6nC @ 4.5V |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| FET 类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 400mV @ 100µA |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 功率 - 最大值 | 625mW |
| 高度 | 1mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 2.2mm |
| 典型输入电容值@Vds | 850 pF @ -12 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 160 mΩ |
| 通道类型 | P |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大栅阈值电压 | 0.4V |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 0.625 W |
| 最大栅源电压 | ±12 V |
| 宽度 | 1.35mm |
| 尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1mm |
| 最大漏源电压 | 12 V |
| 典型接通延迟时间 | 860 ns |
| 典型关断延迟时间 | 3500 ns |
| 封装类型 | SC-88 |
| 最大连续漏极电流 | 3.3 A |
| 引脚数目 | 6 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8.6 nC @ -4.5 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 12 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
| 产品 | MOSFET Small Signal |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | - 3.3 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 133 mOhms |
| 系列 | NTJS3151P |
| Pd - Power Dissipation | 625 mW |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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