on semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 6SC-88 |
| 渠道类型 | N|P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 8@P Channel V |
| RDS -于 | 320@P Channel mOhm |
| 最大门源电压 | 8@N Channel V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Cut Tape |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | 8@N Channel |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 320@P Channel |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 供应商封装形式 | SC-88 |
| 最大功率耗散 | 400 |
| 最大漏源电压 | 8@P Channel |
| 引脚数 | 6 |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1.3A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其他名称 | NTJD1155LT1GOSTR |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| FET型 | N and P-Channel |
| 功率 - 最大 | 400mW |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 8V |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Dual Drain, Dual Gate, Dual Source |
| 外形尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1mm |
| 身高 | 1mm |
| 长度 | 2.2mm |
| 最大连续漏极电流 | ±1.3 A |
| 最大漏源电阻 | 320 mΩ |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 0.4 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | SC-88 |
| 宽度 | 1.35mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 源极击穿电压 | 1 V |
| 连续漏极电流 | +/- 1.3 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 260 mOhms |
| 功率耗散 | 0.4 W |
| 封装/外壳 | SC-88 |
| 漏源击穿电压 | - 8 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | 8 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.32 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N/P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 2 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 8@P Channel V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 高度 | 1mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 2.2mm |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 最大漏源电阻值 | 320 mΩ |
| 引脚数目 | 6 |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N，P |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 0.4 W |
| 最大栅源电压 | 8（N 沟道）V |
| 宽度 | 1.35mm |
| 尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1mm |
| 最大漏源电压 | 8 V |
| 封装类型 | SC-88 |
| 最大连续漏极电流 | 1.3 A |
| 最大栅阈值电压 | 1V |
| 晶体管配置 | N+P 负载开关 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 8 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1 V |
| 产品 | MOSFET Small Signal |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 通道数 | 2 Channel |
| 晶体管类型 | 2 P-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | - 1.3 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 260 mOhms |
| 系列 | NTJD1155L |
| Pd - Power Dissipation | 400 mW |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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