ON Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±12 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | Chip FET |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | P |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 155@4.5V |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 供应商封装形式 | Chip FET |
| 最大功率耗散 | 1600 |
| 最大连续漏极电流 | 2.1 |
| 引脚数 | 8 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.1A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.2V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | ChipFET™ |
| 其他名称 | NTHD4401PT3GOSTR |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V |
| FET型 | 2 P-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 1.1W |
| 标准包装 | 10,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 300pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 6nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 8-SMD, Flat Lead |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 源极击穿电压 | +/- 12 V |
| 连续漏极电流 | - 2.1 A |
| 正向跨导 - 闵 | 5 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 200 mOhms |
| 功率耗散 | 1.1 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | ChipFET-8 |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 上升时间 | 13 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | - 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 13 ns |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 300pF @ 10V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 6nC @ 4.5V |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| FET 类型 | 2 P-Channel (Dual) |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 8-SMD, Flat Lead |
| 功率 - 最大值 | 1.1W |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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