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厂商型号:

NTGS3441T1G

芯天下内部编号:
277-NTGS3441T1G
生产厂商:

on semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 6TSOP
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 3.3 A
RDS -于 90@4.5V mOhm
最大门源电压 ±8 V
典型导通延迟时间 13 ns
典型上升时间 23.5 ns
典型关闭延迟时间 27 ns
典型下降时间 24 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Cut Tape
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±8
Package Width 1.5
PCB 6
最大功率耗散 2000
最大漏源电压 20
欧盟RoHS指令 Compliant
Maximum Drain Source Resistance 90@4.5V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TSOP
标准包装名称 TSOP
最高工作温度 150
Package Length 3
引脚数 6
Package Height 0.94
最大连续漏极电流 3.3
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 1.65A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.5V @ 250µA
供应商设备封装 6-TSOP
其他名称 NTGS3441T1GOSTR
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 90 mOhm @ 3.3A, 4.5V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 500mW
漏极至源极电压(Vdss) 20V
输入电容(Ciss ) @ VDS 480pF @ 5V
闸电荷(Qg ) @ VGS 14nC @ 4.5V
封装/外壳 SC-74, SOT-457
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 P-Channel
配置 Single Quad Drain
源极击穿电压 +/- 8 V
连续漏极电流 - 1 A
正向跨导 - 闵 6.8 S
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 90 mOhms
功率耗散 2 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 TSOP
上升时间 23.5 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 - 20 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 24 ns
漏极电流(最大值) 3.3 A
频率(最大) Not Required MHz
栅源电压(最大值) �8 V
输出功率(最大) Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.09 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TSOP
极性 P
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %
漏源导通电压 20 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :2.35A
Drain Source Voltage Vds :-20V
On Resistance Rds(on) :90mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :-4.5V
Threshold Voltage Vgs :-1.05V
功耗 :1W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :TSOP
No. of Pins :6
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Current Id Max :2.35A
工作温度范围 :-55°C to +150°C
端接类型 :SMD
Voltage Vds Typ :-20V
Voltage Vgs Max :-1.05V
Voltage Vgs Rds on Measurement :-4.5V
Weight (kg) 2.27
Tariff No. 85412100

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