ON Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 |
| 安装 | Surface Mount |
| Package Width | 6.22(Max) |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 65000 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 150@5V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | DPAK |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最高工作温度 | 175 |
| 渠道类型 | P |
| Package Length | 6.73(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| Package Height | 2.38(Max) |
| Maximum Continuous Drain Current | 15.5 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 15.5A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商设备封装 | DPAK-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 150 mOhm @ 7.5A, 5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 65W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1190pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 26nC @ 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 60 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | - 2 V |
| Qg - Gate Charge | 26 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/- 20 V |
| 下降时间 | 70 ns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 配置 | 1 P-Channel |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 11 S |
| Id - Continuous Drain Current | - 15.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 130 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 28 ns |
| 系列 | NTD20P06L |
| 典型导通延迟时间 | 11 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 65 W |
| 上升时间 | 90 ns |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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