ON Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 |
| 安装 | Through Hole |
| Package Width | 2.38(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 100000 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 37@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | IPAK |
| 标准包装名称 | IPAK |
| 最高工作温度 | 175 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 6.73(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| Package Height | 6.35(Max) |
| Maximum Continuous Drain Current | 32 |
| 封装 | Rail |
| 标签 | Tab |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 32A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 供应商设备封装 | I-Pak |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 37 mOhm @ 32A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 100W |
| 标准包装 | 75 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1450pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 40nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Dual Drain, Single |
| 外形尺寸 | 6.73 x 2.38 x 7.62mm |
| 身高 | 7.62mm |
| 长度 | 6.73mm |
| 最大连续漏极电流 | 32 A |
| 最大漏源电阻 | 37 mΩ |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大功率耗散 | 100 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | IPAK |
| 典型栅极电荷@ VGS | 40 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 1450 pF V @ 25 |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 典型导通延迟时间 | 11 ns |
| 宽度 | 2.38mm |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 32 A |
| RDS（ON） | 37 mOhms |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 100 W |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 安装类型 | 通孔 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 6.73mm |
| 典型输入电容值@Vds | 1450 pF @ 25 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 7.62mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 37 mΩ |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 100 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 2.38mm |
| 尺寸 | 6.73 x 2.38 x 7.62mm |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 典型接通延迟时间 | 11 ns |
| 典型关断延迟时间 | 38 ns |
| 封装类型 | IPAK |
| 最大连续漏极电流 | 32 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 40 nC @ 10 V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
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