on semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3DPAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 最大连续漏极电流 | 98 A |
| RDS -于 | 5.7@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 18 ns |
| 典型上升时间 | 70 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 典型下降时间 | 60 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| Package Width | 6.22(Max) |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 96000 |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 5.7@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | DPAK |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最高工作温度 | 175 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 6.73(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| Package Height | 2.38(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 98 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 98A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | DPAK-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 5.7 mOhm @ 45A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 115W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 6000pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 82nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | NTD5862NT4GOSCT |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 96 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | No |
| 连续漏极电流 | 98 A |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 包装类型 | DPAK |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 60 V |
| 弧度硬化 | No |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 6.73mm |
| 典型输入电容值@Vds | 5050 pF @ 25 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 2.38mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 5.7 mΩ |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 115 W |
| 最大栅源电压 | ±30 V |
| 宽度 | 6.22mm |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.38mm |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 典型接通延迟时间 | 18 ns |
| 典型关断延迟时间 | 35 ns |
| 封装类型 | DPAK |
| 最大连续漏极电流 | 98 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 82 nC @ 10 V |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252-3 |
| Qg - Gate Charge | 82 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 下降时间 | 60 ns |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 98 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5.7 mOhms |
| Pd - Power Dissipation | 115 W |
| 上升时间 | 70 ns |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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