on semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3DPAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 最大连续漏极电流 | 12.2 A |
| RDS -于 | 10@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 7.2|15 ns |
| 典型上升时间 | 57|147 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 30|20 ns |
| 典型下降时间 | 67|29 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 10@10V |
| 最大漏源电压 | 40 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | DPAK |
| 最大功率耗散 | 3000 |
| 最大连续漏极电流 | 12.2 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 12.2A (Ta), 70A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3.5V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商设备封装 | D-Pak |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 10 mOhm @ 30A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 100W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2500pF @ 32V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 45nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 70 A |
| 正向跨导 - 闵 | 19 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 10 mOhms |
| 功率耗散 | 100 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 57 ns, 147 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 67 ns, 29 ns |
| 高度 | 2.38mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 6.73mm |
| 典型输入电容值@Vds | 1375 pF @ 32 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 17 mΩ |
| 通道类型 | N |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 100 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 6.22mm |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.38mm |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 典型接通延迟时间 | 7.2 ns |
| 典型关断延迟时间 | 30 ns |
| 封装类型 | DPAK |
| 最大连续漏极电流 | 70 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 45 nC @ 10 V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
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