on semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3DPAK |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 25 A |
| RDS -于 | 80@5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±15 V |
| 典型导通延迟时间 | 9 ns |
| 典型上升时间 | 37 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 典型下降时间 | 16 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±15 |
| 包装宽度 | 6.22(Max) |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 75000 |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 80@5V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | DPAK |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 6.73(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 2.38(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 25 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 25A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商设备封装 | DPAK-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 80 mOhm @ 25A, 5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 75W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1260pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 20nC @ 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | NTD25P03LT4GOSCT |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Dual Drain |
| 外形尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.38mm |
| 身高 | 2.38mm |
| 长度 | 6.73mm |
| 最大漏源电阻 | 0.09 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 75 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | D-PAK |
| 典型栅极电荷@ VGS | 15 nC @ V @ -5 |
| 典型输入电容@ VDS | 900 pF @ V @ -25 |
| 宽度 | 6.22mm |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 15 V |
| 连续漏极电流 | - 25 A |
| 正向跨导 - 闵 | 13 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 51 mOhms |
| 功率耗散 | 75 W |
| 上升时间 | 37 ns |
| 漏源击穿电压 | - 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 16 ns |
| 漏极电流（最大值） | 25 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �15 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.08 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| Continuous Drain Current Id | :-25A |
| Drain Source Voltage Vds | :-30V |
| On Resistance Rds(on) | :0.056ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :-5V |
| Threshold Voltage Vgs | :-1.6V |
| 功耗 | :75W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-252 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Weight (kg) | 0.0003 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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