ON Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 14@10V |
| 最大漏源电压 | 100 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | D2PAK |
| 最大功率耗散 | 217000 |
| 最大连续漏极电流 | 77 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 77A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 14 mOhm @ 72A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 188W |
| 标准包装 | 800 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3700pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 100nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | NTB6411ANT4GOSCT |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Dual Drain, Single |
| 外形尺寸 | 10.29 x 9.65 x 4.83mm |
| 身高 | 4.83mm |
| 长度 | 10.29mm |
| 最大连续漏极电流 | 77 A |
| 最大漏源电阻 | 14 mΩ |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大功率耗散 | 217 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | D2PAK |
| 典型栅极电荷@ VGS | 100 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 3700 pF V @ 25 |
| 典型关闭延迟时间 | 107 ns |
| 典型导通延迟时间 | 16 ns |
| 宽度 | 9.65mm |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 10.29mm |
| 典型输入电容值@Vds | 3700 pF V @ 25 |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 4.83mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 14 mΩ |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 217 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 9.65mm |
| 尺寸 | 10.29 x 9.65 x 4.83mm |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 典型接通延迟时间 | 16 ns |
| 典型关断延迟时间 | 107 ns |
| 封装类型 | D2PAK |
| 最大连续漏极电流 | 77 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 100 nC V @ 10 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
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