on semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 6SC-88 |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 6 |
| 最大集电极发射极电压 | 12 V |
| 集电极最大直流电流 | 2 A |
| 最小直流电流增益 | 100@0.5A@1.5V|100@0.8A@1.5V|100@1A@1.5V |
| 最大工作频率 | 100(Typ) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.16@10mA@0.5A|0.235@16mA@0.8A|0.29@20mA@1A V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 650 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 |
| Maximum Collector Base Voltage | 12 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| Package Height | 0.9 |
| 最大功率耗散 | 650 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 |
| Maximum Transition Frequency | 100(Typ) |
| 封装 | Tape and Reel |
| PCB | 6 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Package Width | 1.25 |
| 供应商封装形式 | SC-88 |
| Package Length | 2 |
| 最大集电极发射极电压 | 12 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 2A |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 100MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 290mV @ 20mA, 1A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 12V |
| 供应商设备封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率 - 最大 | 450mW |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 100 @ 800mA, 1.5 V |
| 其他名称 | NSL12AWT1OS |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 290mV @ 20mA, 1A |
| 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 800mA, 1.5 V |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 功率 - 最大值 | 450mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 2A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 12V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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