ON Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 栅极电荷 | 310nC |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100A |
| 安装类型 | Through Hole |
| 标准包装 | 30 |
| 开关能量 | 1.1mJ (on), 1.2mJ (off) |
| 时间Td（开/关） @ 25°C | 117ns/285ns |
| Vce（开） （最大值） Vge，Ic时 | 1.7V @ 15V, 50A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 600V |
| 供应商设备封装 | TO-247 |
| 反向恢复时间（trr ） | 77ns |
| 封装 | Tube |
| 功率 - 最大 | 223W |
| 输入类型 | Standard |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 测试条件 | 400V, 50A, 10 Ohm, 15V |
| IGBT类型 | Trench |
| 其他名称 | NGTB50N60FWGOS |
| 电流 - 集电极脉冲（ ICM ） | 200A |
| 栅极 - 射极漏泄电流 | 200 nA |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.45 V |
| 连续集电极电流在25 C | 100 A |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 223 W |
| 最大栅极发射极电压 | 30 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| DC Collector Current | :100A |
| Collector Emitter Voltage Vces | :1.45V |
| 功耗 | :223W |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :600V |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-247 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| 晶体管类型 | :IGBT |
| Weight (kg) | 0.00542 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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