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厂商型号:

NE5517DR2G

芯天下内部编号:
277-NE5517DR2G
生产厂商:

on semiconductor

microsemi
描述:
S
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 16SOIC
类型 Transconductance Amplifier
每个芯片的通道数 2
电源类型 Single|Dual
最大单电源电压 44 V
最大双电源电压 ±22 V
安装 Surface Mount
工作温度 0 to 70 °C
标准包装 Tape & Reel
轨至轨 No
包装宽度 4(Max)
Maximum Input Resistance 0.026(Typ)@±15V
PCB 16
最大功率耗散 1125
最大输入偏置电流 5@±15V
欧盟RoHS指令 Compliant
Minimum CMRR 80
每个芯片的元件数 2
最低工作温度 0
供应商封装形式 SOIC
标准包装名称 SOIC
最高工作温度 70
最大单电源电压 44
最大双电源电压 ±22
包装长度 10(Max)
引脚数 16
最大输入失调电压 5@±15V
包装高度 1.5(Max)
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
电流 - 输出/通道 650µA
放大器类型 Transconductance
安装类型 Surface Mount
供应商设备封装 16-SOIC
输出类型 Push-Pull
电流 - 电源 2.6mA
Voltage - Supply, Single/Dual (±) 4 V ~ 44 V, ±2 V ~ 22 V
压摆率 50 V/µs
电流 - 输入偏压 400nA
电压 - 输入偏移 400µV
电路数 2
增益带宽积 2MHz
封装/外壳 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 NE5517DR2GOSCT
外形尺寸 10 x 4 x 1.5mm
身高 1.5mm
长度 10mm
最高工作温度 70 °C
最低工作温度 0 °C
包装类型 SOIC
典型双电源电压 ±22V dc
典型增益带宽积 2MHz
典型的单电源电压 44 V dc
宽度 4mm
工厂包装数量 2500
产品种类 Transconductance Amplifiers
最大功率耗散 1125 mW
电源电流 4 mA
输入电压范围 - 最大 Positive Rail - 3 V
共模抑制比 - 闵 80 dB
安装风格 SMD/SMT
输入失调电压 5 mV
电源电压 - 最大 44 V
封装/外壳 SOIC-16
通道数 2 Channel
RoHS RoHS Compliant
放大器类型 跨导
典型双电源电压 ±15V
Board Level Components Y
典型单电源电压 30 V
典型转换速率 50V/µs
安装类型 表面贴装
电源类型 双,单
最低工作温度 0 °C
高度 1.5mm
最高工作温度 +70 °C
宽度 4mm
尺寸 10 x 4 x 1.5mm
输出类型 推挽式
引脚数目 16
长度 10mm
典型增益带宽积 2MHz
封装类型 SOIC
每片芯片通道数目 2
电源类型 Single, Dual
双电源电压 +/- 2 V to +/- 22 V
工作电源电流 2.6 mA
Ib - Input Bias Current 5 uA
产品 Transconductance Amplifiers
GBP - Gain Bandwidth Product 2 MHz
品牌 ON Semiconductor
CMRR - Common Mode Rejection Ratio 80 dB
Vcm - Common Mode Voltage +/- 12 V
SR - Slew Rate 50 V/us
最小双电源电压 +/- 2 V
正向跨导 - 闵 5400 uS
Pd - Power Dissipation 1125 mW
最大输入电阻 26 kOhm
Ios - Input Offset Current 0.6 uA
电源电压 - 最小 4 V
Vos - Input Offset Voltage 5 mV
Output Current per Channel 650 uA
关机 No Shutdown
系列 NE5517

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