所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 16SOIC |
| 类型 | Transconductance Amplifier |
| 每个芯片的通道数 | 2 |
| 电源类型 | Single|Dual |
| 最大单电源电压 | 44 V |
| 最大双电源电压 | ±22 V |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度 | 0 to 70 °C |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 轨至轨 | No |
| 包装宽度 | 4(Max) |
| Maximum Input Resistance | 0.026(Typ)@±15V |
| PCB | 16 |
| 最大功率耗散 | 1125 |
| 最大输入偏置电流 | 5@±15V |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Minimum CMRR | 80 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最低工作温度 | 0 |
| 供应商封装形式 | SOIC |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 70 |
| 最大单电源电压 | 44 |
| 最大双电源电压 | ±22 |
| 包装长度 | 10(Max) |
| 引脚数 | 16 |
| 最大输入失调电压 | 5@±15V |
| 包装高度 | 1.5(Max) |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 输出/通道 | 650µA |
| 放大器类型 | Transconductance |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备封装 | 16-SOIC |
| 输出类型 | Push-Pull |
| 电流 - 电源 | 2.6mA |
| Voltage - Supply, Single/Dual (±) | 4 V ~ 44 V, ±2 V ~ 22 V |
| 压摆率 | 50 V/µs |
| 电流 - 输入偏压 | 400nA |
| 电压 - 输入偏移 | 400µV |
| 电路数 | 2 |
| 增益带宽积 | 2MHz |
| 封装/外壳 | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | NE5517DR2GOSCT |
| 外形尺寸 | 10 x 4 x 1.5mm |
| 身高 | 1.5mm |
| 长度 | 10mm |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | 0 °C |
| 包装类型 | SOIC |
| 典型双电源电压 | ±22V dc |
| 典型增益带宽积 | 2MHz |
| 典型的单电源电压 | 44 V dc |
| 宽度 | 4mm |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 产品种类 | Transconductance Amplifiers |
| 最大功率耗散 | 1125 mW |
| 电源电流 | 4 mA |
| 输入电压范围 - 最大 | Positive Rail - 3 V |
| 共模抑制比 - 闵 | 80 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 输入失调电压 | 5 mV |
| 电源电压 - 最大 | 44 V |
| 封装/外壳 | SOIC-16 |
| 通道数 | 2 Channel |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 放大器类型 | 跨导 |
| 典型双电源电压 | ±15V |
| Board Level Components | Y |
| 典型单电源电压 | 30 V |
| 典型转换速率 | 50V/µs |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 电源类型 | 双,单 |
| 最低工作温度 | 0 °C |
| 高度 | 1.5mm |
| 最高工作温度 | +70 °C |
| 宽度 | 4mm |
| 尺寸 | 10 x 4 x 1.5mm |
| 输出类型 | 推挽式 |
| 引脚数目 | 16 |
| 长度 | 10mm |
| 典型增益带宽积 | 2MHz |
| 封装类型 | SOIC |
| 每片芯片通道数目 | 2 |
| 电源类型 | Single, Dual |
| 双电源电压 | +/- 2 V to +/- 22 V |
| 工作电源电流 | 2.6 mA |
| Ib - Input Bias Current | 5 uA |
| 产品 | Transconductance Amplifiers |
| GBP - Gain Bandwidth Product | 2 MHz |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| CMRR - Common Mode Rejection Ratio | 80 dB |
| Vcm - Common Mode Voltage | +/- 12 V |
| SR - Slew Rate | 50 V/us |
| 最小双电源电压 | +/- 2 V |
| 正向跨导 - 闵 | 5400 uS |
| Pd - Power Dissipation | 1125 mW |
| 最大输入电阻 | 26 kOhm |
| Ios - Input Offset Current | 0.6 uA |
| 电源电压 - 最小 | 4 V |
| Vos - Input Offset Voltage | 5 mV |
| Output Current per Channel | 650 uA |
| 关机 | No Shutdown |
| 系列 | NE5517 |
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