on semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-220FP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 最大连续漏极电流 | 2.4 A |
| RDS -于 | 4800@10V mOhm |
| 最大门源电压 | 30 V |
| 典型导通延迟时间 | 9 ns |
| 典型上升时间 | 7 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | 30 |
| 包装宽度 | 4.9(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 24000 |
| 最大漏源电压 | 600 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 4800@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-220FP |
| 标准包装名称 | TO-220F |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 10.63(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 9.24(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 2.4 |
| 封装 | Rail |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.4A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4.5V @ 50µA |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| 供应商设备封装 | TO-220FP |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 4.8 Ohm @ 1A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 24W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 274pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 10.1nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 10.63 x 4.9 x 16.12mm |
| 身高 | 16.12mm |
| 长度 | 10.63mm |
| 最大漏源电阻 | 4.8 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 57 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TO-220FP |
| 典型栅极电荷@ VGS | 10 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 274 pF V @ 25 |
| 宽度 | 4.9mm |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流 | 2.4 A |
| 正向跨导 - 闵 | 1.7 S |
| RDS（ON） | 4 Ohms |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 24 W |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Continuous Drain Current Id | :2.4A |
| Drain Source Voltage Vds | :600V |
| On Resistance Rds(on) | :4ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :4V |
| No. of Pins | :3 |
| Weight (kg) | 0 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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