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厂商型号:

N25S830HAS22I

芯天下内部编号:
277-N25S830HAS22I
生产厂商:

on semiconductor

microsemi
描述:
S
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 8SOIC N
定时类型 Synchronous
密度 256 Kb
数据速率架构 SDR
典型工作电源电压 3 V
地址总线宽度 1 Bit
每字位数 8 Bit
I / O线数 2 Bit
端口数 1
字数 32 K
工作温度 -40 to 85 °C
标准包装 Rail / Tube
安装 Surface Mount
Package Width 4(Max)
PCB 8
地址总线宽度 1
典型工作电源电压 3
欧盟RoHS指令 Compliant
密度 256K
最低工作温度 -40
供应商封装形式 SOIC N
标准包装名称 SOIC
最高工作温度 85
最大时钟频率 20
每字位数 8
Package Length 5(Max)
最低工作电源电压 2.7
引脚数 8
Maximum Operating Current 10
Package Height 1.5(Max)
Maximum Access Time 25
封装 Tube
最大工作电源电压 3.6
铅形状 Gull-wing
格式 - 存储器 RAM
供应商设备封装 8-SOIC N
内存类型 SRAM
存储容量 256K (32K x 8)
电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V
接口 SPI Serial
速度 20MHz
其他名称 766-1043
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
组织 32 k x 8
最大工作电流 3 mA
产品种类 SRAM
工厂包装数量 100
最高工作温度 + 85 C
安装风格 SMD/SMT
电源电压 - 最大 3.6 V
访问时间 25 ns
最低工作温度 - 40 C
封装/外壳 SOIC-8 Narrow
最大时钟频率 20 MHz
电源电压 - 最小 2.7 V
类型 Synchronous
RoHS RoHS Compliant
地址总线 1 b
工作温度范围 -40C to 85C
包装类型 SOIC N
字长 8 b
同步/异步 Synchronous
工作温度分类 Industrial
时钟频率(最大) 20 MHz
建筑 SDR
弧度硬化 No
工作电源电压(典型值) 3 V
工作电源电压(最小值) 2.7 V
工作电源电压(最大值) 3.6 V
访问时间(最大) 25ns
电源电流 10mA
时钟频率 20 MHz
Memory Configuration :32 x 8
Supply Voltage Min :2.7V
Supply Voltage Max :3.6V
Memory Case Style :SOIC
No. of Pins :8
Operating Temperature Min :-40°C
频率 :16MHz
Weight (kg) 0.001
Tariff No. 85411000

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